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电离室测量方法

测量时需要在测量深度，矩阵电离室，距离测量用电离室3-4cm处放置参考电离室，用以修正测量电离室读数。

具体修正方法如下：

目前测量用剂量仪多为双（多）通道剂量仪（若使用的是单通道剂量仪，则可以同时使用两个单通道剂量仪进行测量，方法相同）。

一通道接测量电离室，第二通道接参考电离室。（假设电离室日常测量用偏压为+300V。）

电离室极化效应

电离室极化效应在电子束测量中的影响尤为显著。其测量一般使用“正负偏压法”完成。Kpol = （|M+|+|M-|）/2M，矩阵电离室厂家，其中，矩阵电离室哪家好，M+和M-分别为电极正反接（正负偏压）时对应的剂量仪读数。M是日常使用极性情况下的剂量仪读数。每个读数都是多次（一般为3次）测量后的平均值。为了消除加速分次间出束剂量波动对剂量仪读数的影响。

电离室离子复合

在脉冲式辐射场中，Ks的推导建议使用双电压法。这里需要假定剂量仪读数（M）和所使用的偏压（V）之间存在线性关系。M1和M2分别是偏压为V1和V2的剂量仪读数。其中，V1是常用偏压，V2小于V1，一般V1/v2≥3。此时，常压V1时的复合效应表达式为：

Ks=a0+a1（M1/M2）+a2（M1/M2）2注意：因为Ks与剂量率相关，故测定时，应使用剂量率。